背場是用來提高太陽電池效率的有效手段，背場即在電池的背面接觸區(qū)引入同型重?fù)诫s區(qū)，指的是可對光生少子產(chǎn)生勢壘效果的區(qū)域，從而減少光生少子在背表面的復(fù)合。

　　圖6所示為有、無背場的HIT太陽電池的QE響應(yīng)和IV特性曲線。從圖中可以看出背場能有效增加電池的長波段響應(yīng)，加入背場的電池在背面有很低復(fù)合速率，將能增強(qiáng)低光子能量處的光譜響應(yīng)，因此短路電流密度將增加。由于短路電流增加，背面接觸的二極管復(fù)合電流減少，從而開路電壓增加，能有效提高電池的轉(zhuǎn)換效率。

有、無背場的HIT太陽電池的QE響應(yīng)和IV特性曲線

　　3．3優(yōu)化后的HIT太陽電池

　　在上述研究的基礎(chǔ)上，對單面HIT太陽電池各沉積參數(shù)進(jìn)行優(yōu)化，得到了開壓為596mV、短路電流密度為41．605mA／cm2、填充因子為0．676、效率為16．75％的HIT電池，其卜V特性曲線如圖7所示，測試在模擬光源AMl．5，25℃下進(jìn)行。

優(yōu)化后的HIT太陽電池

　　4小結(jié)

　　本文通過研究不同硅表面鈍化方法，分析測試HIT太陽電池制備過程中硅片表面的一些鈍化技術(shù)對少數(shù)載流子壽命以及對電池性能的影響，發(fā)現(xiàn)適當(dāng)?shù)腍F溶液預(yù)處理、20s的襯底H處理和插入約3nm的本征非晶硅層能有效提高硅片的少子壽命，通過飽和硅片表面的懸掛鍵，可以降低少數(shù)載流子在表面的復(fù)合，從而得到較好的表面鈍化效果。研究了在硅襯底背面制作背場后電池的光照特性，發(fā)現(xiàn)在硅片背面引入重?fù)诫s背場提高了電池的長波段光譜響應(yīng)和開路電壓。對電池的各制備工藝進(jìn)行綜合優(yōu)化，研制出了效率為16．75％（AMl．5，25℃）的HIT太陽電池。(原作者： 柳琴， 葉曉軍等)