1前言

　　采用寬帶隙的非晶硅作為窗口層或發(fā)射極，單晶硅或多晶硅片作襯底，形成了非晶硅／晶體硅異質(zhì)結(jié)太陽(yáng)電池，稱為HIT（heterojunction with intrinsic thin-layer）太陽(yáng)電池。它可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)pn結(jié)和優(yōu)異的表面鈍化，并且所有工藝可在低溫（《200℃）下完成，既減少了能耗，又能避免硅片在高溫處理過(guò)程中可能產(chǎn)生的性能退化。由于這種電池既利用了薄膜制造工藝優(yōu)勢(shì)同時(shí)又發(fā)揮了晶體硅和非晶硅的材料性能特點(diǎn)，具有實(shí)現(xiàn)高效低成本硅太陽(yáng)電池的發(fā)展前景，成為光伏能源領(lǐng)域的一個(gè)研究熱點(diǎn)。

　　本文通過(guò)分析測(cè)試HIT太陽(yáng)電池制備過(guò)程中硅片表面的一些鈍化技術(shù)對(duì)少數(shù)載流子壽命的影響，來(lái)研究鈍化效果，摸索出提高電池效率的途徑，并結(jié)合背電場(chǎng)工藝，研制出高效率的HIT太陽(yáng)電池。

　　2實(shí)驗(yàn)

　　實(shí)驗(yàn)中我們選用的襯底為n型單面拋光直拉單晶硅片。首先對(duì)硅片進(jìn)行嚴(yán)格的化學(xué)清洗。然后通過(guò)改變鈍化方法和工藝條件分別進(jìn)行對(duì)比實(shí)驗(yàn)，測(cè)試硅表面的少子壽命，測(cè)試儀是采用SEMLABWT一1000型的微波光電導(dǎo)衰減儀（μ一PCD）。采用射頻等離子體輔助化學(xué)氣相沉積（RF-PECVD）技術(shù)沉積非晶硅薄膜，在優(yōu)化鈍化條件的情況下，制備出完整的HIT電池樣品，電池的結(jié)構(gòu)為Ag／n-c-Si／i-a-Si：H／p-a-Si：H／ITO。電池的卜V特性在太陽(yáng)模擬光源AMl．5光照條件（1000w／m2），25℃下測(cè)得。采用標(biāo)定過(guò)的Si探測(cè)器為參考樣品，通過(guò)量子效率（QE）測(cè)試儀得到太陽(yáng)電池的光譜響應(yīng)。

　　3結(jié)果與分析

　　3．1硅表面鈍化及對(duì)電池性能的影響

　　（1）化學(xué)預(yù)處理及其鈍化作用

圖1 硅片少子壽命隨HF溶液處理時(shí)間的變化曲線

　　圖1是硅片少子壽命隨不同HF溶液處理時(shí)間的變化曲線，可以看出用HF溶液處理后的硅片少子壽命均有提高，說(shuō)明一定濃度的HF溶液能有效去除硅片表面的氧化層，提高載流子壽命。其中處理lmin后測(cè)得的少子壽命最高，并且HF溶液處理時(shí)間不宜過(guò)長(zhǎng)，當(dāng)Time》1min后，隨著時(shí)間的增長(zhǎng)少子壽命會(huì)有所下降，說(shuō)明長(zhǎng)時(shí)間的HF溶液腐蝕可能會(huì)破壞硅表面結(jié)構(gòu)。

　?。?）H處理及其鈍化作用

圖2 硅片少子壽命隨H處理時(shí)間的變化曲線

　　圖2所示為硅片少子壽命隨不同H等離子處理時(shí)間的變化曲線，可以看出對(duì)襯底進(jìn)行一定時(shí)間的H處理（《25s）后少子壽命都有提高，其中最佳H處理時(shí)間為20s，此時(shí)少子壽命值相對(duì)于原始裸片增加了11．35“s，適當(dāng)時(shí)間的H處理可鈍化硅片表面的懸掛鍵，同時(shí)刻蝕掉了硅表面的氧化層，有效改善界面，然而過(guò)長(zhǎng)時(shí)間的H等離子處理會(huì)對(duì)硅片表面造成損傷，引起表面缺陷的增加，相應(yīng)的也降低了其少子壽命。