圖3為硅片少子壽命隨沉積不同i-a-Si：H厚度的變化曲線，可以看出沒(méi)有沉積本征非晶硅層的硅襯底少子壽命最優(yōu)值為16．44”s，當(dāng)沉積一定厚度的本征非晶硅后，硅片的少子壽命均有提高，說(shuō)明了非晶硅薄膜作為緩沖層減小了異質(zhì)結(jié)界面態(tài)密度，對(duì)硅片表面有很強(qiáng)的鈍化效果。其中隨著厚度的增加，當(dāng)沉積時(shí)間為40s，厚度約為3nlTl的本征非晶硅，少子壽命最高達(dá)到24．61“s，并且得到的本征非晶硅薄膜結(jié)構(gòu)比較穩(wěn)定，能夠在電池中應(yīng)用。

　?。?）本征非晶硅對(duì)HIT太陽(yáng)電池性能的影響

圖4 HIT太陽(yáng)電池V沉積i-a-Si：H層厚度的變化曲線

　　在沉積不同本征非晶硅層厚度的基礎(chǔ)上，制備完整的HIT太陽(yáng)電池樣品，測(cè)試得到電池的開路電壓（U）與沉積i-a-Si：H層厚度的變化曲線如圖4所示。從圖中可以看出，當(dāng)沉積時(shí)間為40s，制備得到的HIT太陽(yáng)電池的K最高，結(jié)合前面關(guān)于本征i層對(duì)硅片表面的鈍化作用，此時(shí)的少子壽命也是最高的，說(shuō)明表面鈍化能有效提高電池的開壓。

　　保持HIT太陽(yáng)電池其他工藝條件不變，僅改變本征非晶硅層的插入，制備一組電池樣品，測(cè)試電池的QE響應(yīng)和IV特性，如圖5所示。

　　從QE曲線中可以看出本征層的插入增加了對(duì)短波段光的吸收，使得短波段光譜響應(yīng)相比不加入本征層的減弱了，短路電流密度J。略有降低，但是它通過(guò)在界面處降低了異質(zhì)結(jié)的表面復(fù)合速率來(lái)提高電池的填充因子FF和開路電壓K，因此異質(zhì)結(jié)界面處插入一定厚度的i-a-Si：H能有效提高HIT太陽(yáng)電池的光電轉(zhuǎn)換效率。