然后硅錠會(huì)被橫向切割為單個(gè)硅晶片，即圓晶。在切割過(guò)程中，會(huì)產(chǎn)生大量的粉狀碎屑，此時(shí)，需要用水將所有的圓晶進(jìn)行徹底清洗。但清洗用水并非普通水，而是由自來(lái)水進(jìn)一步提純之后的超純水。

    英特爾其它工廠(chǎng)因?yàn)樵O(shè)備投入較早，對(duì)自來(lái)水的處理效率通常在80%—85%左右，而現(xiàn)在F68工廠(chǎng)采用新興的膜分離技術(shù)的反滲透裝置可以去除市政供水中的大部分溶解離子，使約95％的自來(lái)水轉(zhuǎn)化成超純水，當(dāng)然剩下的5%也不會(huì)直接排放，而是被導(dǎo)流到冷卻等環(huán)節(jié)，繼續(xù)利用。

    事實(shí)上，由于英特爾大量向第三方廠(chǎng)商采購(gòu)晶圓成品，F(xiàn)68工廠(chǎng)省掉了沖洗晶圓的環(huán)節(jié)，反滲透裝置產(chǎn)生的超純水被用在了對(duì)晶圓進(jìn)行“雕刻”的環(huán)節(jié)—這是所有生產(chǎn)工藝中精確度最高、微觀(guān)級(jí)別最高的環(huán)節(jié)。

    “雕刻”類(lèi)似于傳統(tǒng)膠片沖洗，但工藝更復(fù)雜，精度要求更高。晶圓進(jìn)入F68之后，首先被涂光刻膠，輕薄而均勻地涂上光刻膠之后，晶圓被曝光于紫外線(xiàn)下進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)。按照紫外線(xiàn)給予的形狀，一部分物質(zhì)發(fā)生化學(xué)變化，另一部分不變，利用這種曝光，每一片晶圓被切割出數(shù)百個(gè)微處理器，每個(gè)微處理器上再被設(shè)置數(shù)萬(wàn)個(gè)晶體管，按照英特爾最先進(jìn)的工藝，一個(gè)大頭針大小的面積能夠容納約3000萬(wàn)個(gè)晶體管。

    曝光后，大部分光刻膠會(huì)被溶劑溶解，晶圓上就會(huì)形成光刻膠圖案。此時(shí)，就需要用超純水反復(fù)清洗這些溶劑，直至潔凈度達(dá)標(biāo)。

    在芯片生產(chǎn)過(guò)程中，類(lèi)似的涂膠-曝光-清洗工藝會(huì)被進(jìn)行多次，而每次都要用超純水進(jìn)行沖洗，這是芯片行業(yè)耗水的根本原因。

    每制造完成一片標(biāo)準(zhǔn)酷睿芯片，約35升超純水被消耗，變成含有大量硅和其它曝光溶劑所需的化學(xué)物質(zhì)的廢水。這些水的PH值已經(jīng)和自然界的水完全不同，這些廢水將被全部導(dǎo)入F68的廢水處理廠(chǎng)。