按照本發(fā)明，用一個隔板環(huán)將放有熔化原料的坩堝的內部隔開，從而使被提拉的單晶被包圍并且使熔化原料可以流動，顆粒狀硅加到隔板環(huán)的外側，從而使外側的熔化液體成為一個顆粒狀硅的可溶區(qū)域，以保持隔板環(huán)內側的熔化液面幾乎保持恒定，并且用一塊保溫板復蓋隔板環(huán)及其外側的熔化液面，使隔板環(huán)外側的熔化液體溫度至少比其內部的溫度高出１０℃，或更高些。

一種單晶硅壓力傳感器制造方法及其結構

本發(fā)明涉及到太陽能光伏級單晶硅壓力傳感器的制造方法及其結構。本發(fā)明提供了一種單晶硅壓力傳感器單面加工的新方法和單晶硅絕對壓力傳感器的盒式結構。本發(fā)明具有制造工藝簡單、成品率高、成本低，與集成電路工藝兼容性好等優(yōu)點。

單晶硅生產裝置

一種單晶硅生產裝置，包括一個置于石墨坩堝內的石英坩堝、隔板和加熱器，隔板將石英坩堝中的熔融硅料分成兩部分，內側是單晶硅生長部分，外側是材料熔化部分；加熱器用以使單晶硅生長部分中的熔融硅料保持在適于單晶硅生長的溫度下，并為熔化裝進材料熔化部分的原材料提供熱量；隔板上開有一些小孔。$隔板的材料為不透明的石英玻璃。$向材料熔化部分加入原材料而從單晶硅生長部分拉出單晶硅。$熔融硅料通過隔板小孔由材料熔化部分流入晶體生長部分。

制造單晶硅的設備

在本發(fā)明的單晶硅制造設備中，有一熱輻射屏在單晶生長區(qū)上方，以屏蔽和調節(jié)來自單晶生長區(qū)中熔融硅表面的熱輻射，而降低坩堝溫度從而降低單晶中的氧濃度以減少熔融硅中的氧量。該熱輻射屏包括一用金屬板覆蓋的耐火纖維材料，一多層金屬薄板組合件或一電阻加熱元件。此外，坩堝內部還被一加工成許多小孔在隔離部件隔開，或一石英管沿該隔離件的圓周方向延伸安裝在其內側，使熔融硅從物料熔化區(qū)流暢地流向單晶生長區(qū)并從而提供有效的措施。

單晶硅直徑測定法及其設備

本發(fā)明涉及一種測定單晶硅直徑的方法和設備。在用ＣＺ法提拉單晶的一規(guī)定轉動周期的間隔內，用光學裝置對熔融環(huán)的亮度分布進行取樣，由此得出該提拉單晶的直徑測定值，再用低通濾波器處理該直徑測定值，以產生轉換成時序直徑數據的濾波器輸出值，然后求出濾波器輸出值的移動平均值，從而計算出直徑值。本發(fā)明涉及的設備包括能完成上述測定方法的光學裝置、一低通濾波器和計算裝置。

單晶硅直徑控制法及其設備

單晶硅直徑的一種控制方法，在單晶硅邊相對于坩堝轉動邊受提拉的單晶硅制造過程中，將光學裝置測出的提拉單晶的直徑測定值與要求直徑值進行比較，以確定偏差，再對得出的偏差進行不完全微分ＰＩＤ處理或史密斯法處理，以計算提拉速度，再將提拉速度加到晶體提拉設備的電動機控制器上，從而通過控制提拉速度控制提拉單晶的參數。為完成上述單晶硅直徑的一種控制方法的設備，包括輸入裝置、不完全微分ＰＩＤ計算裝置和輸出裝置。

單晶硅生產設備

一種單晶硅生產設備，用以按照坩堝旋轉的切克勞斯基法高速提拉大直徑單晶硅。該設計的特點在于，分隔件是坩堝式的，熔融硅表面上方分隔件的厚度不小于３毫米，且不大于熔融硅表面下方分隔件厚度的８０％，分隔件的底部部分緊固在坩堝底部部分上，且分隔件支撐在圓柱形石英件上。

單晶硅生產設備

一種按照坩堝不旋轉的切克勞斯基法高速提拉直徑大、組成穩(wěn)定的單晶硅的單晶硅生產設備。通過妥善維持單晶硅外周邊與分隔件內側熔融硅自由表面的熱平衡，可以高速提拉大直徑單晶硅。必須滿足的條件如下：φ４＝１８－２４英寸，φ３／φ４＝０．７５－０．８４；φ２－φ１＝３０－５０毫米，α＝１５－２５度；及ｈ＝１０－３０毫米，其中φ１為單晶硅直徑，φ２為保溫蓋圓柱形側面部分下端處的孔徑，φ３為分隔件的直徑，φ４為坩堝直徑，ｈ為熔融硅表面至φ２部分的距離。

單晶硅生產設備

一種大直徑單晶硅生產設備，具有一旋轉式石英坩堝、一電阻式加熱器、一具有連通孔的石英分隔件、一保溫蓋等。$開在分隔件上的連通孔其橫截面的總面積Ａ，當原料進料速度在３０與５０克／分子之間時在８０與１００平方毫米之間，當原料進料速度在５０至８０克／分的范圍時不小于１３０平方毫米，但不大于１２００平方毫米，當原料進料速度在８０至１３０克／分的范圍時不小于２２０平方毫米，但不大于１６００平方毫米。

制造單晶硅的裝置

一種利用切克勞斯基單晶生長法的大直徑單晶制造裝置，在保溫罩上部設置適當的開口，防止氣體介質產生不良影響。開口總面積大于保溫罩下端和硅熔液液面之間形成間隙的面積，保溫罩和熱屏蔽件用金屬板構成。

單晶硅上大面積（100）取向的金剛石膜的生長方法

在單晶硅上大面積（１００）取向金剛石膜的生長方法，是將單晶硅襯底在金剛石粉中研磨產生劃痕，以Ｈ2、ＣＨ4、ＣＯ為反應氣體，采用微波制膜技術，控制系統(tǒng)壓力３０～４５ｔｏｒｒ范圍，嚴格控制襯底溫度在８７０～８９０℃范圍，并使襯底以０．２～１轉／分的轉速勻速轉動，可制備大面積均勻生長的（１００）取向的金剛石膜。本發(fā)明具有工藝簡單、設備少、對襯底的解理面要求寬松、生長速度快，生長面積大等特點，適于生產。