6月10日，在廣州舉行的2013年LED外延芯片技術(shù)及設(shè)備材料最新趨勢專場中，晶能光電硅襯底LED研發(fā)副總裁孫錢博士向與會者做了題為“硅襯底氮化鎵大功率LED的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”的報告，與同行一道分享了硅襯底大功率LED研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化和大尺寸硅襯底LED技術(shù)的最新進展。

孫錢博士介紹，Haitz定律追求的是高性價比LED。市場需要的是一條追隨和突破Haitz定律的技術(shù)路線，它要有更大的襯底晶圓、更低的芯片工藝成本、更高的光效、更高的工作電流密度以及單位芯片面積更高的出光功率。硅襯底LED技術(shù)或?qū)⑹亲罾硐氲倪x擇。

繼2012年6月12日發(fā)布硅襯底大功率LED芯片量產(chǎn)以來，在孫錢博士帶領(lǐng)的團隊的的努力下，晶能光電取得了大步的“芯”跳躍，硅襯底大功率LED外延生產(chǎn)水平可達到同爐外延片波長總體在7-8nm，爐與爐之間波長重復(fù)性穩(wěn)定在±2nm，同時片內(nèi)波長STD約1.3nm且翹曲度小。外延水平的提升的同時，硅襯底大功率LED芯片性能得到了飛速提升。目前，45mil芯片量產(chǎn)水平裸芯光強500mW，平均電壓2.9-3V，反向漏電流小于0.1uA；封裝成冷白光效可達到140lm/W，350mA，性能與國際一流大廠大功率LED芯片水平相當。55mil芯片光效更可達到150lm/W，350mA，比去年提升幅度近20%。同時，硅襯底大功率LED芯片在900mA電流，55℃下老化1800小時無光衰，顯示了良好的可靠性。

孫錢博士同時介紹了6寸硅襯底大功率LED研發(fā)的最新進展。據(jù)介紹，晶能光電已開發(fā)出的6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及芯片工藝技術(shù)制造的45mil芯片光效已達到125lm/W，并且將于明年實現(xiàn)6寸硅襯底45milLED芯片的批量生產(chǎn)，光效達140lm/W以上。

晶能光電是全球硅襯底LED技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化的引領(lǐng)者。硅襯底大功率LED芯片投放市場以來，其芯片性能進步神速，市場反響強烈，優(yōu)良的可靠性和良好的性價比得到越來越多客戶的認可。在本次光亞展中，運用硅襯底大功率LED芯片的硅襯底模組首次亮相。硅襯底模組以3.5元/W、質(zhì)量五年的高性價比受到了同行的廣泛關(guān)注。