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日本開發(fā)出使太陽(yáng)能組件成本減半技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2012年6月15日 來(lái)源:元培翻譯

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  日本立命館大學(xué)等于6月12日發(fā)布消息稱,已開發(fā)出能夠使太陽(yáng)能組件生產(chǎn)成本減半的新技術(shù)。新技術(shù)有望推動(dòng)太陽(yáng)能發(fā)電的普及。


  據(jù)悉,由立命館大學(xué)發(fā)起的 TOOL BANK公司將攜手研磨加工企業(yè)Crytal光學(xué),力爭(zhēng)在2012年度(2012.4.1至2012.3.31)內(nèi)制作出采用新技術(shù)的切割裝置試作機(jī),并計(jì)劃在2013年度(2013.4.1至2014.3.31)正式發(fā)售。新裝置的價(jià)格與現(xiàn)行裝置相當(dāng)。


  新技術(shù)為硅切割技術(shù),結(jié)合了使用化學(xué)溶液的半導(dǎo)體加工技術(shù)和細(xì)金屬絲。先將太陽(yáng)能組件的主要材料——硅切割為數(shù)層,再取出硅薄膜進(jìn)行加工。利用新技術(shù)取出的硅薄膜厚度為以往的一半以下,約為60微米(1微米等于100萬(wàn)分之一米)。加工速度與以往相同。利用新技術(shù),相同數(shù)量的材料(硅)能制作出的太陽(yáng)能組件數(shù)量可達(dá)到現(xiàn)行技術(shù)的2.5倍。
 


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