芬蘭阿爾托（Aalto）大學(xué)的研究人員于2010年11月中旬宣布，開(kāi)發(fā)出一種快速實(shí)用的新方法，可應(yīng)用于太陽(yáng)能電池，使之制造無(wú)反射的自潔表面，可以提高太陽(yáng)能電池效率。該方法已在《先進(jìn)材料（AdvancedMaterials）》雜志上發(fā)表。

　　此方法涉及采用深度反應(yīng)離子蝕刻方法，在硅表面制造金字塔形的納米結(jié)構(gòu)。然后，將硅晶片作為模板來(lái)創(chuàng)建彈性印記，將原始的納米結(jié)構(gòu)復(fù)制到寬范圍的聚合物上。

　　它不同于光滑的硅表面會(huì)反映散亂的光線，納米結(jié)構(gòu)硅和聚合物表面幾乎完全無(wú)反射。他們使從空氣到基材的折射指數(shù)可以平滑地過(guò)渡，從而降低了在寬的波長(zhǎng)范圍內(nèi)的反射率。

　　這種非反射面是提高太陽(yáng)能電池效率所需要的。如果聚合物納米結(jié)構(gòu)涂以低表面能薄膜涂層，他們可獲得太陽(yáng)能電池的又一重要改進(jìn)，那就是可自清潔。

　　這種制造方法可被放大，并可在工業(yè)上被應(yīng)用于簡(jiǎn)單的、低成本的制造大面積的納米結(jié)構(gòu)。