中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)保持較快穩(wěn)定增長(zhǎng)
自國(guó)家半導(dǎo)體照明工程實(shí)施以來(lái),中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)取得了長(zhǎng)足的發(fā)展。2008年,全球金融危機(jī)導(dǎo)致下游市場(chǎng)需求疲軟,在一定程度上減緩了中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)的發(fā)展速度。進(jìn)入2009年,隨著國(guó)家不斷出臺(tái)相關(guān)扶持政策,中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)增速企穩(wěn)回升。2010年,在LED全彩顯示、LED背光源、LED照明等下游應(yīng)用高速發(fā)展的拉動(dòng)下,包括襯底、外延、芯片、封裝在內(nèi)的中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模高速增長(zhǎng)到294.6億元,比2009年大幅增長(zhǎng)33.8%。2006-2010年,中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)年均復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到18.7%。
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圖1 2006-2010年中國(guó)LED產(chǎn)業(yè)規(guī)模
襯底環(huán)節(jié)仍以低端產(chǎn)品為主,藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)開(kāi)始大規(guī)模布局
近幾年,處于技術(shù)以及市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)等因素的原因,相對(duì)于外延、芯片和封裝環(huán)節(jié),國(guó)內(nèi)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展一直比較緩慢。2010年,眾多藍(lán)寶石襯底項(xiàng)目尚處在投資建設(shè)或設(shè)備調(diào)試階段,產(chǎn)能尚未大規(guī)模釋放,因此中國(guó)LED襯底產(chǎn)業(yè)仍主要以低端產(chǎn)品為主,藍(lán)寶石襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模有限。2010年中國(guó)襯底環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)規(guī)模達(dá)到352.5萬(wàn)平方英寸,同比增長(zhǎng)34.4%,實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值1.4億元,比2009年增長(zhǎng)50.8%。
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圖2 2006-2010年中國(guó)LED襯底產(chǎn)業(yè)規(guī)模
從中國(guó)襯底產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況看,在國(guó)家半導(dǎo)體照明工程、國(guó)家863等重大專項(xiàng)的支持下,中國(guó)制備紅光、綠光LED用的GaAs/InP/GaP襯底材料技術(shù)已經(jīng)取得重大進(jìn)展。在企業(yè)分布上,中科鎵英,國(guó)瑞電子、上海中科嘉浦、中國(guó)電子科技集團(tuán)第46研究所等企業(yè)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)上述產(chǎn)品的批量供應(yīng)。這些企業(yè)LED襯底產(chǎn)量已經(jīng)占據(jù)中國(guó)整體LED襯底產(chǎn)量的30%左右,從而保障了中國(guó)該類型襯底基本實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)。
2010年,對(duì)于應(yīng)用于藍(lán)光、白光LED生長(zhǎng)的藍(lán)寶石襯底、SiC襯底和GaN襯底,受到下游LED背光和LED照明市場(chǎng)高速發(fā)展的帶動(dòng),GaN外延/芯片產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,使得上游襯底供給短缺,推動(dòng)價(jià)格持續(xù)上揚(yáng)。盡管國(guó)內(nèi)相關(guān)企業(yè)該類襯底的性能指標(biāo)和成品率仍然較低,該類襯底材料生長(zhǎng)專業(yè)人才也較為缺乏,然而在較高產(chǎn)業(yè)利潤(rùn)的驅(qū)動(dòng)下,2010年中國(guó)已有多家企業(yè)開(kāi)始介入或宣布介入藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域,逐步擴(kuò)大資金投入和相關(guān)關(guān)鍵技術(shù)引進(jìn)。除了哈工大奧瑞德光電技術(shù)有限公司、陜西神光安瑞光電科技有限公司位于內(nèi)地以外,其他區(qū)企業(yè)主要位于東部沿海和西南地區(qū)。位于東部沿海的相關(guān)企業(yè)有天津賽法晶片技術(shù)有限公司、青島嘉星晶電科技股份有限公司、協(xié)鑫光電科技(江蘇)有限公司、江蘇歐亞藍(lán)寶光電科技有限公司、浙江水晶光電科技股份有限公司、浙江東晶電子股份有限公司、浙江天通股份有限公司、深圳愛(ài)彼斯通半導(dǎo)體材料有限公司等。位于西南地區(qū)的線管企業(yè)有四聯(lián)儀器儀表集團(tuán)有限公司(四聯(lián)集團(tuán))、云南藍(lán)晶科技股份有限公司(云南藍(lán)晶)、貴州省貴陽(yáng)市工投公司(貴陽(yáng)工投)。其中,天津賽法、青島嘉星晶電、深圳愛(ài)彼斯通等企業(yè)已開(kāi)始供應(yīng)藍(lán)寶石襯底,四聯(lián)集團(tuán)更是于2008年通過(guò)收購(gòu)國(guó)際知名大廠霍尼韋爾位于加拿大的藍(lán)寶石襯底工廠以及相關(guān)技術(shù),進(jìn)入藍(lán)寶石襯底領(lǐng)域。為更進(jìn)一步擴(kuò)大版圖,四聯(lián)集團(tuán)正在重慶建立藍(lán)寶石襯底的產(chǎn)業(yè)化基地,截止2010年年底四聯(lián)集團(tuán)藍(lán)寶石襯底基片項(xiàng)目進(jìn)展順利,項(xiàng)目一期已進(jìn)入設(shè)備調(diào)試階段,部分產(chǎn)能已經(jīng)釋放。云南藍(lán)晶、哈工大奧瑞德光電等企業(yè)則掌握晶棒生長(zhǎng)的自主技術(shù),已實(shí)現(xiàn)藍(lán)寶石襯底的小規(guī)模量產(chǎn)。協(xié)鑫光電、歐亞藍(lán)寶光電、天通股份在2010年也開(kāi)始陸續(xù)進(jìn)入藍(lán)寶石晶棒與襯底領(lǐng)域。浙江水晶光電、西安神光安瑞光電則準(zhǔn)備在2011年開(kāi)始展開(kāi)布局,浙江東晶電子“年產(chǎn)750萬(wàn)片LED用藍(lán)寶石晶片技改項(xiàng)目”一期計(jì)劃在2012年年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。整體來(lái)看,依照下游產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張速度,至少未來(lái)三年藍(lán)寶石襯底的供給將持續(xù)緊張,中國(guó)藍(lán)寶石襯底產(chǎn)業(yè)從2011年開(kāi)始將迅速吸收投資,擴(kuò)張產(chǎn)能,藍(lán)寶石產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值在LED襯底中的比重必將迅速擴(kuò)大,并超過(guò)四元系產(chǎn)品。
外延環(huán)節(jié)產(chǎn)能迅速擴(kuò)張,產(chǎn)品層次逐步提升
LED外延作為L(zhǎng)ED產(chǎn)業(yè)鏈的核心環(huán)節(jié),從2009年開(kāi)始,在中國(guó)下游應(yīng)用市場(chǎng)高速發(fā)展的帶動(dòng)下,中國(guó)GaN MOCVD數(shù)量開(kāi)始爆發(fā)性增長(zhǎng),使得中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)得到快速發(fā)展。2010年,中國(guó)在產(chǎn)與建成調(diào)試的MOCVD數(shù)量接近300臺(tái),實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的MOCVD數(shù)量超過(guò)200臺(tái)。2010年,中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)規(guī)模為12.5億元,比2009年大幅增長(zhǎng)78.4%。
具體在產(chǎn)品上,AlGaInP外延(主要應(yīng)用于紅光LED產(chǎn)品的制備),由于該類材料生長(zhǎng)機(jī)理以及材料特性穩(wěn)定,使得該類產(chǎn)品生長(zhǎng)技術(shù)相對(duì)容易掌握,目前國(guó)內(nèi)該種外延產(chǎn)品發(fā)展也處于領(lǐng)先地位。由于AlGaInP外延下游應(yīng)用領(lǐng)域相對(duì)成熟,對(duì)上游外延片增長(zhǎng)拉動(dòng)較為緩慢,使得AlGaInP外延片的增速遠(yuǎn)低于GaN外延片的增速。2010年,AlGaInP/AlGaAs/GaAsP/GaP系外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的60.2%,較2009年減小15.8個(gè)百分點(diǎn)。此外,藍(lán)白光LED在景觀照明、背光源等領(lǐng)域應(yīng)用規(guī)??焖贁U(kuò)大的推動(dòng)下和國(guó)內(nèi)企業(yè)以及科研院所在材料生長(zhǎng)技術(shù)不斷取得突破的支撐下,2010年,GaN外延片產(chǎn)量約占整體外延產(chǎn)量的39.8%。未來(lái)三年,這一比例還將快速提升,預(yù)計(jì)2011年中國(guó)GaN外延片的產(chǎn)量將超過(guò)AlGaInP外延片。
在供需方面,用于普通亮度紅光LED的外延片已經(jīng)基本實(shí)現(xiàn)自主供應(yīng)。然而,由于外延片質(zhì)量直接影響LED芯片的發(fā)光亮度和發(fā)光特性,目前,用于制備大功率高亮度紅光LED的高質(zhì)量AlGaInP外延片仍主要從臺(tái)灣及韓國(guó)等地進(jìn)口。此外,由于國(guó)內(nèi)GaN外延片供應(yīng)量較小,且產(chǎn)品質(zhì)量與國(guó)際領(lǐng)先水平差距明顯,因而,國(guó)內(nèi)該類產(chǎn)品也主要依靠進(jìn)口。
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圖3 2006-2010年中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)規(guī)模
LED外延生產(chǎn)環(huán)節(jié)屬于資金技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè),一條外延片生產(chǎn)線通常需要億元的投資,而MOCVD等外延片的核心生產(chǎn)設(shè)備業(yè)主要依賴進(jìn)口,則進(jìn)一步提高了中國(guó)LED外延行業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻。同時(shí),生產(chǎn)外延片對(duì)于人才的要求比較嚴(yán)格,需要具有豐富經(jīng)驗(yàn)的技術(shù)人員。這些因素導(dǎo)致目前國(guó)內(nèi)外延片生產(chǎn)企業(yè)都分布在經(jīng)濟(jì)實(shí)力強(qiáng)、技術(shù)人才集中的中國(guó)東部和南部沿海地區(qū)。
但隨著市場(chǎng)需求的逐步擴(kuò)大,中國(guó)LED外延產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展,在原有企業(yè)在積極擴(kuò)充產(chǎn)能的基礎(chǔ)上,也不斷有新企業(yè)進(jìn)入該領(lǐng)域。從企業(yè)投資趨勢(shì)來(lái)看,一方面原有企業(yè)在現(xiàn)有生產(chǎn)基地的基礎(chǔ)上進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn),另一方面如廈門(mén)三安則開(kāi)始在除廈門(mén)以外的天津、安徽蕪湖建立LED生產(chǎn)企業(yè),山東浪潮華光除了原有在濟(jì)南和濰坊的一廠、二廠以外,2009-2010年也開(kāi)始在濟(jì)南高新區(qū)和臨沂建立另外兩個(gè)生產(chǎn)基地。此外,新進(jìn)入企業(yè)也不再僅僅把投資地點(diǎn)選擇在上海、廈門(mén)、揚(yáng)州等地區(qū),中國(guó)LED外延片投資呈現(xiàn)多處開(kāi)花的局面,并且有從東部和南部沿海城市向北部以及中部城市延伸的趨勢(shì)。
由于外延片和芯片生產(chǎn)環(huán)節(jié)聯(lián)系緊密,行業(yè)內(nèi)的多數(shù)企業(yè)在從事芯片生產(chǎn)的同時(shí)也進(jìn)行外延片產(chǎn)品的生產(chǎn),從目前國(guó)內(nèi)新投資的企業(yè)看,基本上都涵蓋了外延和芯片兩個(gè)環(huán)節(jié)。而對(duì)于外資來(lái)華投資的企業(yè)來(lái)說(shuō),處于對(duì)技術(shù)流失等因素的考慮,初期仍主要以轉(zhuǎn)移芯片生產(chǎn)為主。
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