市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Lux Research近日公布了一項(xiàng)最新研究報(bào)告。在這份名為《組件成本結(jié)構(gòu)分析：薄膜能否逃過(guò)晶體硅的猛攻？》(“Module Cost Structure Breakdown: Can Thin-Film Survive the Crystalline Silicon Onslaught?”)的報(bào)告中，Lux比較了多晶硅(mc-Si)、薄膜硅(TF-Si)、碲化鎘(CdTe)和銅銦鎵硒(CIGS)太陽(yáng)能電池的每瓦發(fā)電成本，進(jìn)而對(duì)何種技術(shù)在組件層次擁有長(zhǎng)期的價(jià)格優(yōu)勢(shì)進(jìn)行了預(yù)測(cè)。

　　在報(bào)告中，Lux稱(chēng)價(jià)格壓力促使著太陽(yáng)能產(chǎn)品制造商尋求降低成本提高性能的方法，以期保留較大的利潤(rùn)空間。報(bào)告還指出，隨著晶體硅技術(shù)的進(jìn)步和多晶硅原材料價(jià)格的不斷下降，TF-Si、CdTe和CIGS電池的制造商將被迫壓縮利潤(rùn)或退出市場(chǎng)。

　　“在太陽(yáng)能組件領(lǐng)域，晶體硅技術(shù)目前仍處于優(yōu)勢(shì)地位并作為行業(yè)成本價(jià)格比的基準(zhǔn)。碲化鎘效率較低，但價(jià)格最具競(jìng)爭(zhēng)力。我們預(yù)計(jì)這兩項(xiàng)技術(shù)將繼續(xù)保持較高的盈利水平，”報(bào)告的第一作者、Lux Research的資深研究員泰德.沙利文(Ted Sullivan，如圖)表示，“薄膜硅技術(shù)的盈利能力有很大的不確定性，而隨著研究員不斷提高工藝的穩(wěn)定性，CIGS技術(shù)的盈利能力將在2013年前超越晶體硅技術(shù)。”

　　為了幫助開(kāi)發(fā)人員在2015年前控制成本的主要組成(投資、材料、設(shè)備和人工成本)，Lux還為四種技術(shù)建立了銷(xiāo)售成本(cost-of-goods-sold model，簡(jiǎn)稱(chēng)COGS)模型。該模型預(yù)計(jì)，隨著銷(xiāo)售成本走低，晶體硅還將是占據(jù)市場(chǎng)主流技術(shù)。在多晶硅保持每千克70美元的假設(shè)下，Lux預(yù)計(jì)到2015年縱向一體化企業(yè)將把成本從2009年的每瓦1.45美元降到每瓦0.93美元，其中效率的提高是促使成本降低的主要因素，預(yù)計(jì)效率將從2009年的14%提高到2015年的16.1%。

　　Lux在其模型中假設(shè)歐瑞康的新款ThinFab生產(chǎn)線(xiàn)將使薄膜硅電池的效率從9%提高到11%。輸出功率的提高也壓低了每瓦組件成本，預(yù)計(jì)到2015年薄膜硅的成本將從2009年的每瓦1.32美元減低到每瓦0.8美元。

　　至于哪種太陽(yáng)能技術(shù)盈利空間最大，Lux押寶福思第一太陽(yáng)能(First Solar)公司所引領(lǐng)的CdTe技術(shù)。Lux指出CdTe的成本結(jié)構(gòu)比多晶硅要低，隨著成本的進(jìn)一步降低，到2015年該技術(shù)的成本將從2009年的每瓦0.8美元降低到每瓦0.54美元。

　　最后，Lux的模型還預(yù)測(cè)特定CIGS技術(shù)的成本將大幅下降。其中使用玻璃基板的濺射CIGS電池在效率從10%提高到14.2%的情況下，成本可以從每瓦1.68美元將至每瓦0.76美元。此外，Lux還注意到到一些技術(shù)領(lǐng)先的公司通過(guò)提高產(chǎn)能使毛利率達(dá)到了30%。