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電子無塵車間詳細分類

發(fā)布時間: 來源:江西佰地信環(huán)境工程有限公司

一:薄膜太陽能電池無塵車間產(chǎn)品介紹GB50472—2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》 薄膜太陽能電池9 供暖、通風、空氣調(diào)節(jié)與凈化9.2.5排風系統(tǒng)的設計,應符合下列要求:1等離子增強化學汽....

一:薄膜太陽能電池無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB50472—2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

     薄膜太陽能電池

9 供暖、通風、空氣調(diào)節(jié)與凈化

9.2.5排風系統(tǒng)的設計,應符合下列要求:

1等離子增強化學汽相淀積設備的尾氣應設就地處理裝置,且粉塵去除率應不低于99%

2含有酸、堿廢氣的排風系統(tǒng)應獨立設置,風機應設置應急電源;

3工藝設備的排風系統(tǒng)應設置備用風機;

4有冷凝液產(chǎn)生的排風系統(tǒng)風管應設置坡度和排液口,且風管系統(tǒng)應采取防液體滲漏措施;

5等離子增強化學汽相淀積設備的排風系統(tǒng)應采取防火、防爆措施;

6酸、堿、有毒排風系統(tǒng)不應設置熔片式防火;

7酸、堿排風系統(tǒng)的風機應設置在廢氣處理設備的氣流下游側(cè);

8排風系統(tǒng)的室外風管應根據(jù)當?shù)貧庀髼l件設置防結(jié)露保溫措施;

9潔凈室的排風系統(tǒng)應設置防止室外氣流倒灌的措施。

9.2.8等離子增強化學汽相淀積設備區(qū)域及對應吊頂空間內(nèi)應設置不低于2/h 的排風,等離子增強化學汽相淀積

設備尾氣處理設備間應設置不低于12/h的事故排風。

9.3 空氣調(diào)節(jié)與凈化

9.3.1 凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新風應集中處理,新風處理機組的設置應符合下列要求:

1送風機應采取自動調(diào)速措施;

2空氣宜經(jīng)過粗效、中效、亞高效過濾器或高效過濾器三級處理;

3新風吸入口的位置,應遠離有害物或可燃物的排出口;

4應有良好的氣密性,在工作壓力下的漏風率不應大于1%;

5新風處理機組的安裝高度應滿足機組冷凝水的排出要求。

9.3.3循環(huán)空氣處理機組宜采用干冷卻方式處理空氣。

9.3.5空調(diào)系統(tǒng)所采用的加熱、加濕方式應利于工廠余熱的利用。

9.3.6 PVB切割裝配間凈化空調(diào)系統(tǒng)設計,應符合下列要求:

1應對維護結(jié)構、人員、設備、物料等進行散濕計算;

2應進行濕負荷的平衡計算;

3凈化空調(diào)系統(tǒng)的處理機組及除濕機組宜貼近生產(chǎn)車間;

4凈化空調(diào)系統(tǒng)的設備、風管及配件應采取可靠的密閉措施;

5凈化空調(diào)系統(tǒng)的回風管宜在低濕空間內(nèi)敷設;

6凈化空調(diào)系統(tǒng)不宜采用回風夾道、地溝等方式回風。

GB50472—2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

          光纖廠房

4.1.5  光纖廠房生產(chǎn)環(huán)境及動力品質(zhì)應滿足光纖生產(chǎn)工藝要求:

光纖廠房的潔凈度等級和溫度、相對濕度參數(shù)見表4.1.5

      4.1.5  光纖廠房潔凈度等級和溫度、相對濕度參數(shù)表

序號

工作間名稱

潔凈度等級

(控制粒徑)

溫度

相對濕度

1

拉絲間

78

(0.5μm)

23±3

45%70%

2

預制棒存放間、洗管間、篩選/復繞間、測試間

8

(0.5μm)

23±3

45%70%

3

包裝間、成品庫、

人身凈化間

8

(0.5μm)

23±3

小于75%

5.1.4  光纖廠房人員凈化用室的設置,應符合下列規(guī)定:

1 人員凈化用室的入口處,應設凈鞋設施;

2 外衣與潔凈工作服應分別存放,存放柜可按潔凈區(qū)內(nèi)人數(shù)每人一柜配置;

3 衛(wèi)生間應設在人員凈化用室之前;

4 在潔凈區(qū)的入口處應設空氣吹淋室;

5 空氣吹淋室應與潔凈工作服更衣室相鄰;

6 單人空氣吹淋室應按最大班人數(shù)每30人設一臺,也可采用多人吹淋室或通道式吹淋室;

空氣吹淋室一側(cè)應設旁通門。

6.1  空調(diào)凈化與通風

6.1.1  光纖廠房的生產(chǎn)環(huán)境應滿足生產(chǎn)工藝的要求,各生產(chǎn)房間的潔凈度等級和溫度、相對濕度應按本規(guī)范表4.1.5的規(guī)定取值。

6.1.2  新風宜集中進行空氣凈化處理,新風機組風機應變頻控制,并且設置壓差報警。

6.1.3  新風機組冷凍水供回溫度宜為6℃12℃,循環(huán)機組冷凍水供回溫度宜為10℃16℃;加熱盤管宜采用熱水為熱媒。

6.1.4  初效、中效、高效三級空氣過濾器可布置在空氣處理機組內(nèi)。

6.1.5  拉絲間的氣流組織應符合下列要求:

拉絲間凈化空調(diào)宜分層設置風口,每層宜采用上送下回的方式;

當拉絲塔設備配置了封閉的高級別的凈化空氣循環(huán)系統(tǒng)時,宜采用分層側(cè)送側(cè)回方式。

6.1.6  拉絲間凈化空調(diào)送風量應計算每層工作平臺的工藝設備發(fā)熱量的差異。

6.1.7  拉絲塔設備的紫外固化裝置送、排風系統(tǒng)應符合下列要求:

送風系統(tǒng)應獨立設置,不得抽取室內(nèi)凈化空調(diào)空氣作為送風,空調(diào)器內(nèi)可設置表冷盤管、加熱盤管以及初效、中效及亞高效空氣過濾器,送風機組的風機壓頭應計算工藝設備內(nèi)部阻力;

排風系統(tǒng)可高空排放;

熱排風風管應采用耐高溫耐高壓的材料;

涂覆揮發(fā)物排風風管應采用耐腐蝕的材料。

6.1.8  拉絲間宜設置機械排煙系統(tǒng)。

三:發(fā)光二極管(LED)無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB50472-2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB51209-2016《發(fā)光二極管工廠設計規(guī)范》

 

6.1.2 發(fā)光二極管工廠一般由生產(chǎn)廠房、動力廠房、化學品庫、氣站、辦公樓等建筑組成。

9 采暖、通風、空氣凈化

9.1 一般規(guī)定

9.1.1 潔凈室的空氣潔凈度等級以及潔凈室型式應根據(jù)生產(chǎn)工藝對生產(chǎn)環(huán)境的要求確定。

9.1.2 潔凈室的氣流組織應根據(jù)潔凈度等級、生產(chǎn)工藝要求以及技術經(jīng)濟比較確定。

9.2.5 排風系統(tǒng)的設計應符合下列要求:

1 金屬有機化合物化學氣相沉積設備的尾氣應設就地處理裝置;

2 酸、堿排風應獨立設置系統(tǒng),風機應設置應急電源;

3 工藝設備的排風系統(tǒng)應設置備用風機;

4 有冷凝液產(chǎn)生的酸、堿排風系統(tǒng)風管宜設置坡度和排液口,且風管系統(tǒng)應采取防液體滲漏措施;

5 金屬有機化合物化學氣相沉積設備的排風系統(tǒng)應采取防火、防爆措施;

6 酸、堿排風系統(tǒng)不宜設置防火閥,且不得設置熔片式防火閥;

7 酸、堿排風系統(tǒng)的風機應設在廢氣處理設備的下風側(cè);

8 工藝設備局部排風系統(tǒng)的室外風管應根據(jù)當?shù)貧庀髼l件設置防結(jié)露保溫措施;

9 潔凈室的排風系統(tǒng)應設置防止室外氣流倒灌的措施。

9.3 空氣調(diào)節(jié)與凈化

9.3.1 凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新風應集中進行熱、濕、凈化處理,新風處理機組的設置應符合下列要求:

1 送風機應采取變頻措施;

2 空氣宜經(jīng)過粗效、中效、高效過濾器三級處理;

3 新風的吸入口位置,應遠離排放有害物或可燃物的排氣口;25

4 應有良好的氣密性,在工作壓力下的漏風率不得大于1%。

9.3.2 光刻間宜采用新風處理機組+風機過濾器機組+干冷卻盤管的凈化空調(diào)系統(tǒng);其他潔凈室宜采用新風處理機組+循環(huán)空氣處理機組+高效過濾器送風口的凈化空調(diào)系統(tǒng)。

9.3.3 循環(huán)空氣處理機組宜采用干冷卻方式處理空氣。

9.3.4 循環(huán)空氣處理機組的風機應采取變頻調(diào)速措施。

9.3.5 空調(diào)加熱、加濕系統(tǒng)的設計應利于工廠余熱的利用。

 

四:硅太陽能電池無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB50472—2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB50704-2011《硅太陽能電池工廠設計規(guī)范》

         硅太陽能電池工廠

3.4.2硅太陽能電池廠房的工藝區(qū)劃,應按產(chǎn)品生產(chǎn)工藝流程進行布置,常規(guī)布置可按圖3.4.2進行。

3.4.3生產(chǎn)環(huán)境及動力品質(zhì)應符合硅太陽能電池生產(chǎn)工藝的要求。

5.2通風

5.2.3符合下列情況之一時,應單獨設置局部排風系統(tǒng):

1排風介質(zhì)混合后能產(chǎn)生或加劇腐蝕性、毒性、燃燒爆炸危險性和發(fā)生交叉污染。

2散發(fā)劇毒物質(zhì)的房間和設備。

3排風介質(zhì)混合后易使蒸汽凝結(jié)并聚積粉塵。

5.2.4潔凈區(qū)的排風系統(tǒng)應采取防止室外氣流倒灌的措施,且排風系統(tǒng)應設置在風機的進口側(cè)。

5.2.5含有易燃易爆物質(zhì)的排風系統(tǒng)應與一般排風分開設置,并應采取防火防爆和安全排放措施。

5.2.9工藝尾氣應經(jīng)有效的凈化設施處理后達標排放,并應設置應急備用裝置。

5.2.13局部排風系統(tǒng)總管上應設置流量測量孔,并宜設置自動監(jiān)測裝置;工藝設備排風出口宜設置流量測量孔。

5.2.14硅烷間、氨氣間、擴散間、三氯氧磷間等易產(chǎn)生和放散大量爆炸性氣體或有害氣體的房間,應設置事故通風系統(tǒng)。事故通風的換氣次數(shù)不應小于12次/h。事故通風系統(tǒng)應設置自動、手動控制開關,手動開關應設置在室內(nèi)外便于操作的地方。

5.2.18輸送含有劇毒物質(zhì)或工藝要求可靠性較高的排風機,應設置備用風機。

5.2.19局部排風系統(tǒng)的排風機宜采取變頻措施。

5.3空氣調(diào)節(jié)與凈化

5.3.1廠房內(nèi)的空氣潔凈度等級、溫度、濕度,應符合生產(chǎn)工藝的要求。工藝無特殊要求時,濕度宜控制為40%~70%,溫度宜控制為22℃27℃

5.3.8潔凈室內(nèi)換氣次數(shù)可按表5.3.8的規(guī)定取值。

:1換氣次數(shù)適用于層高小于4.0m的潔凈室。

2室內(nèi)人員少、熱源少時,宜采用下限值。

5.3.12潔凈區(qū)內(nèi)空調(diào)送風、回風和排風系統(tǒng)應連鎖,啟動時應先啟動送風機,再啟動回風機和排風機;關閉時連鎖程序應相反。

5.3.14對化學污染物有控制要求的生產(chǎn)車間,可采取化學過濾或其他去除措施。

5.3.15加濕器與空調(diào)過濾段之間應有足夠的吸收距離,在加濕工況下應保證過濾器前的空氣相對濕度不大于80%。

5.3.16凈化空調(diào)系統(tǒng)的送風機宜采取變頻措施。送風機可按凈化空調(diào)系統(tǒng)的總風量和總阻力值選擇,空氣過濾器的阻力應按終阻力計算。

5.3.17凈化空調(diào)系統(tǒng)的電加熱器、電加濕器,應采取無風斷電保護、超濕保護和接地措施。

 

五:硅集成電路芯片無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB50472—2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB 50809-2012 硅集成電路芯片工廠設計規(guī)范

 硅集成電路芯片車間

3. 3.4 4 英寸~6 英寸芯片核心生產(chǎn)區(qū)宜采用港灣式布局。

3. 3.5 8 英寸~12 英寸芯片核心生產(chǎn)區(qū)宜采用微環(huán)境和標準機械接口系統(tǒng),并宜采用大空間式布局。

3.3.6 8 英寸~12 英寸芯片核心生產(chǎn)區(qū)宜將生產(chǎn)輔助設備布置在下技術夾層。

10 工藝相關系統(tǒng)

10 .1 凈化區(qū)

10. 1. 1 生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度等級應符合下列要求:

1 芯片生產(chǎn)廠房內(nèi)各潔凈區(qū)的空氣潔凈度等級應根據(jù)芯片生產(chǎn)工藝及所使用的生產(chǎn)設備的要求確定;

2 潔凈度等級的劃分應符合現(xiàn)行國家標準《潔凈廠房設計規(guī)范))GB 50073 的規(guī)定;

3 潔凈區(qū)設計時,空氣潔凈度等級所處狀態(tài)應根據(jù)生產(chǎn)條件確定。

10. 1. 2 生產(chǎn)環(huán)境的溫度、相對濕度指標應按芯片生產(chǎn)工序分別

制定。一般潔凈區(qū)溫度應控制在220C:::!::o.50C~220C20C,相對

濕度應控制在43% 3%~45% :::!::10 % 。

10. 1. 7 凈化系統(tǒng)的型式應根據(jù)潔凈區(qū)面積、空氣潔凈度等級和產(chǎn)品生產(chǎn)工藝特點確定。

10. 1. 8 潔凈區(qū)的送風宜采用下列方式:

1 潔凈區(qū)面積較小、潔凈度等級較低且潔凈區(qū)可擴展性不高時,宜采用集中送風方式;

2 潔凈區(qū)面積大、潔凈度等級較高時,宜采用風機過濾器機組(FFU) 送風。

10. 1. 9 對于面積較大的潔凈廠房宜設置集中新風處理系統(tǒng),新風處理系統(tǒng)送風機應采取變頻措施。

10. 1. 10 對于有空氣分子污染控制要求的區(qū)域,可采取在新風機組及該區(qū)域風機過濾器機組上加裝化學過濾器

的措施。

10. 1. 11 干盤管的設置應符合下列要求:

1 應根據(jù)生產(chǎn)工藝和潔凈區(qū)布局確定合理的安裝位置;

2 應根據(jù)處理風量、室內(nèi)冷負荷、風機過濾器特性確定干盤

管迎風面速度和結(jié)構參數(shù);

3 應采取保證進入干盤管的冷凍水溫度高于潔凈區(qū)內(nèi)空氣露點溫度的措施;

4 應設置檢修排水設施。

10.2 工藝排鳳

10. 2.1 硅集成電路芯片工廠的工藝排風系統(tǒng)設計,應按工藝設備排風性質(zhì)的不同分別設置獨立的排風系統(tǒng)。

10.2.2 凡屬下列情況之一時,應分別設置獨立的排風系統(tǒng):

1 兩種或兩種以上的氣體有害物?昆合后能引起燃燒或爆炸時;

2 混合后發(fā)生反應,形成危害性更大或腐蝕性的混合物、化合物時;

3 混合后形成粉塵時。

六:多晶硅無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB50472-2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

                   GB51034-2014《多晶硅工廠設計規(guī)范》

5.2.5 生產(chǎn)太陽能級多晶硅的還原爐室宜考慮潔凈新風,至少三級過濾;生產(chǎn)半導體級多晶硅的還原爐室潔凈度應在8級以上。

5.6.3 硅芯制備的房間應設置在潔凈區(qū)內(nèi)。

5  破碎系統(tǒng)應設置除塵裝置。

7  破碎、分揀、包裝應設置在潔凈區(qū)內(nèi),防止產(chǎn)品受到二次污染。

5.7.4 分析檢測室中除化學分析以外,其它分析房間應設置在潔凈區(qū),潔凈度要求見附錄C。

8.4  潔凈設計及裝修

8.4.1 主廠房設計應符合下列規(guī)定:

1  半導體級多晶硅還原廠房的還原爐室應采按潔凈廠房設計,空氣潔凈度等級不應低于8級。平面布置、人員凈化、物流凈化、室內(nèi)裝修應符合現(xiàn)行國家標準《潔凈廠房設計規(guī)范》GB50073的相關要求。當設有通往整理車間連廊時,其空氣潔凈度等級和處理方法同還原爐室。

3  整理車間空氣潔凈度等級及潔凈區(qū)劃分應按工藝要求設置,空氣潔凈度不應低于8級。平面布置、人員凈化、物流凈化、室內(nèi)裝修應符合現(xiàn)行國家標準《潔凈廠房設計規(guī)范》GB50073的相關規(guī)定。

10  采暖、通風與空氣調(diào)節(jié)

10.2.5 腐蝕清洗、配酸柜等工序排出的酸性廢氣,應采用局部排風,所含酸性廢氣應采用酸霧凈化塔進行處理。

10.2.6 噴砂、硅棒破碎等生產(chǎn)工藝產(chǎn)生粉塵,應設置袋式過濾器除塵系統(tǒng)。

10.2.7 硅芯爐房、石墨煅燒爐泵房等應設整體排風系統(tǒng),通風換氣次數(shù)應≥6次/h。

10.2.8 實驗室通風柜排出酸性廢氣宜采用活性炭吸附裝置進行處理。

10.2.9 排除酸性廢氣及粉塵應符合下列規(guī)定:

1  酸性廢氣、粉塵等的凈化處理裝置宜設置在負壓段。

2  酸性廢氣凈化系統(tǒng)宜設置備用風機,電源應接入應急電源。

3  酸性廢氣及粉塵經(jīng)處理后應經(jīng)排氣筒排入大氣,排氣筒高度應符合《大氣污染物綜合排放標準》GB16297相關規(guī)定。

4  兩臺及兩臺以上廢氣處理設備并聯(lián)運行時,宜在每臺設備的入口設置電動(或氣動)密閉風閥。

10.3  空氣調(diào)節(jié)與凈化

10.3.3 保證空氣潔凈度等級的潔凈室送風量宜符合表10.3.3規(guī)定

表10.3.3 潔凈室送風量(靜態(tài))和氣流流型

空氣潔凈度等級

氣流流型

平均風速

換氣次數(shù)

(m/s)

h-1

15

單向流或混合流

0.200.45

6

非單向流

5060

7

非單向流

1525

89

非單向流

1015

三級過濾

注:1換氣次數(shù)適用于層高小于4.0m的潔凈室;

2室內(nèi)人員少、熱源少時,宜采用下限值。

10.3.9  還原車間應獨立設置直流空調(diào)送風系統(tǒng),不應回風。

10.3.10 當腐蝕清洗室、硅棒破碎室、配件清洗室的局部排風不能安全排出酸性腐蝕性氣體、粉塵等時,其設空調(diào)送風系統(tǒng)不應回風。

10.3.11 潔凈空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新風集中進行處理時,其新風處理機組應符合下列要求:

1  新風應經(jīng)過粗效過濾器處理。

2  嚴寒地區(qū)新風應先預熱。

3  送風機宜采取變頻措施。

10.3.14 凈化空調(diào)系統(tǒng)的送風機宜采用變頻裝置。

附錄C  主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度、通風換氣次數(shù)

表c主要房間空氣潔凈度、溫度、濕度、通風換氣次數(shù)

房間名稱

空氣潔凈度等級

夏季

 

冬季

 

換氣次數(shù)

吊頂凈高

備注

 

 

溫度

濕度

溫度

濕度

 

 

 

 

 

%

%

h-1

m

 

還原爐室

送三級過濾

28

60

22

50

6

生產(chǎn)太陽能級多晶硅

還原爐室

8

28

60

22

50

10~15

生產(chǎn)半導體級多晶硅

硅芯制備室

8

26

60

18

40

10~15

7

電磁屏蔽

硅棒破碎室

8

26

≤60

18

40

除塵

3.5

不回風

腐蝕清洗室

6(局部5

26

≤60

18

40

排酸氣

排氣含酸處理

中間庫

送三級過濾

26

≤60

18

40

10~15

3.5

配件清洗室

送三級過濾

26

≤60

18

40

10~15

3.5

烘干室

送三級過濾

26

≤60

18

40

10~15

4

 

 

續(xù)表c

房間名稱

空氣潔凈度等級

夏季

 

冬季

 

換氣次數(shù)

吊頂凈高

備注

 

 

溫度

濕度

溫度

濕度

 

 

 

 

 

%

%

h-1

m

 

石墨煅燒室

送三級過濾

26

≤60

18

40

10~15

4

磷硼檢測室

8

26

60

18

40

10~15

6

物測室

7

25±2

≤60

25±2

≤60

電磁屏蔽

天平室

7

25±2

≤60

25±2

≤60

光度分析室

8

25±2

≤60

25±2

≤60

樣品處理室

7

25±2

≤60

25±2

≤60

質(zhì)譜分析室

6

25±2

≤60

25±2

≤60

電磁屏蔽

紅外分析室

8

25±2

≤60

25±2

≤60

電磁屏蔽

氣相分析室

8

25±2

≤60

25±2

≤60

電磁屏蔽

 

注:多晶硅廠房設計中,主要房間空氣潔凈度,按照附錄3采用。而房間溫度、濕度,對于不設置空調(diào)基本可以滿足的地區(qū),可以參照附錄3,適當放寬房間溫度、濕度的要求,主要是滿足生產(chǎn)要求的同時,可以盡量節(jié)約能源。

 

七:集成電路封裝測試無塵車間

產(chǎn)品介紹:

GB50472-2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB51122-2015《集成電路封裝測試廠設計規(guī)范》

                      

                      集成電路封裝測試廠

1.1. 工藝布局

1.1.1. 工藝布局宜根據(jù)產(chǎn)品工序進行,主要生產(chǎn)工序可分為中測、減薄、劃片粘片、焊線、芯片包封、電鍍和成品測試。

常用的工藝流程為:

晶圓入廠→中測→減薄→貼膜→粘片→焊線→包封→切筋成型→電鍍→打印→成品測試→包裝→出貨。

1.1.2. 工藝設備宜根據(jù)生產(chǎn)工序進行集中布置。

1.1.3. 生產(chǎn)環(huán)境宜符合下列要求:

序號

工序

潔凈度等級

溫度

相對濕度

照度

1

晶圓檢查、減薄、劃片、粘片、焊線

6~7

23±2

50±10%

300~500lx

2

芯片包封

7~8

23±3

50±10%

300~500lx

3

電鍍、測試

空調(diào)

 

 

300~500lx

 

2. 凈化及工藝排風

2.1. 凈化區(qū)

2.1.1. 生產(chǎn)環(huán)境的潔凈度等級應符合下列要求

1  潔凈區(qū)的空氣潔凈度等級應根據(jù)集成電路封裝測試產(chǎn)品、工藝及所使用的生產(chǎn)設備的要求確定;

2  潔凈度等級的劃分應符合現(xiàn)行國家標準《潔凈廠房設計規(guī)范》 GB50073的規(guī)定;

3  潔凈區(qū)設計時,空氣潔凈度等級所處空態(tài)、靜態(tài)、動態(tài)應業(yè)主協(xié)商確定。

2.1.2. 氣流流型的設計在空氣潔凈度等級要求6級~9級時,宜采用非單向流。

2.1.3. 潔凈區(qū)空調(diào)系統(tǒng)宜采用以下方式:

1. 對于面積較大的潔凈廠房設置集中新風處理系統(tǒng),新風處理系統(tǒng)送風機應采取變頻措施。

2. 循環(huán)空調(diào)系統(tǒng)應按照潔凈度等級、溫度、相對濕度、熱負荷等因素進行分區(qū)。

3. 循環(huán)空調(diào)系統(tǒng)宜采用干式冷卻方式,宜采用循環(huán)空調(diào)機組和末端高效送風口相結(jié)合的方式。

4. 采用新風未集中處理的空調(diào)機組時宜設置二次回風。

5. 加濕器宜采用等焓加濕方式。

2.2. 工藝排風

2.2.1. 集成電路封裝測試工廠的工藝排風系統(tǒng)設計應按照工藝設備排風性質(zhì)的不同分別設置獨立的排風系統(tǒng)。

2.2.2. 集成電路封裝測試工廠的排煙系統(tǒng)可以兼作事故排風系統(tǒng)。

2.2.3. 集成電路封裝工廠測試的工藝排風系統(tǒng)宜設置變頻調(diào)節(jié)系統(tǒng)。

2.2.4. 工藝排風管道穿越有耐火時限要求的建筑構件處應設置防火閥。腐蝕性排風管道穿越防火墻處可不設置防火閥,但緊鄰建筑構件的風管管道應采用與該處建筑構件耐火時限相同的防火構造進行封閉或保護,每側(cè)長度不應小于2m或風管直徑的兩倍,并以其中較大者為準。

 

八:印制電路板(PCB)無塵車間

產(chǎn)品介紹:

GB50472-2008 《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB51127-2015 《印制電路板工廠設計規(guī)范》

印制電路板(PCB

4.5 廠房潔凈度要求

4.5.1應根據(jù)生產(chǎn)工藝要求在干膜、濕膜、層壓疊板、菲林制作等工序設計潔凈區(qū)或潔凈室;生產(chǎn)局部有潔凈度要求的,可設計潔凈區(qū)。

9 采暖通風與空氣凈化

9.2 通風與廢氣處理

9.2.2化學品庫、中央加藥等房間應設置機械全室通風,并應設置事故排風系統(tǒng);有防爆要求的應按照防爆系統(tǒng)設置,與氣體濃度探頭連鎖,并接入應急電源系統(tǒng)。

9.2.3電鍍、沉銅、棕化、表面處理、蝕刻、清洗等房間應設置全室通風系統(tǒng),宜采用機械方式進行送風,各房間的送風量與崗位送風量之和應小于排風量,以保證房間為相對負壓。

9.2.4酸性廢氣、堿性廢氣、有機廢氣、熱廢氣、粉塵等應分開設置排風系統(tǒng)。

9.2.5電鍍、棕化、表面處理、酸性蝕刻、酸性清洗等工序排出的酸性廢氣,應采用酸霧處理塔進行處理。

9.2.6沉銅、堿性蝕刻、酸性清洗等工序排出堿性廢氣,應采用堿霧處理塔進行處理。

9.2.7印刷、烘箱、涂膜、字符等工序排出有機廢氣,宜采用活性炭吸附裝置或洗滌塔加活性炭吸附裝置進行處理。

9.2.8鉆孔、銑邊等區(qū)域排出粉塵,宜采用板式過濾器、袋式過濾器進行處理,其風量應按在正常運行和事故情況下,風管內(nèi)粉塵的濃度不大于爆炸下

限的20%計算;粉塵排風系統(tǒng)應設置消除靜電的接地裝置。

9.2.9酸、堿、有機、粉塵等廢氣的風機宜設置在處理裝置的出風側(cè),宜設置備用風機,風機宜設置變頻裝置。粉塵排風風機電源應接入應急電源。

9.2.10酸性廢氣、堿性廢氣、有機廢氣、熱廢氣、粉塵等經(jīng)處理后應經(jīng)排氣筒排入大氣,排氣筒高度應符合《電子工業(yè)污染物排放標準 電子元件及印

制電路板》GBxxxxx 相關規(guī)定。

9.2.11兩臺及兩臺以上廢氣處理設備并聯(lián)運行時,宜在每臺設備的入口設置電動(氣動)密閉風閥。

9.2.12普通熱排風風管材料宜采用鍍鋅鋼板;酸性、堿性廢氣排風系統(tǒng)風管材料宜采用難燃型耐腐蝕玻璃鋼風管或難燃型PVC 風管;有機廢氣排風系統(tǒng)

風管材料宜采用不銹鋼風管或金屬風管;粉塵廢氣排風系統(tǒng)風管材料宜采用鍍鋅鋼板或碳鋼鋼管。

9.3 空氣調(diào)節(jié)與凈化

表9.3.6潔凈室送風量(靜態(tài))和氣流流型

 

空氣潔凈度等級

氣流流型

平均風速(m/s)

換氣次數(shù)(h-1

15

單向流或混合流

0.200.45

 

6

非單向流

 

5060

7

非單向流

 

1525

89

非單向流

 

1015

注: 1 換氣次數(shù)適用于層高小于4.0m的潔凈室

2 室內(nèi)人員少、熱源少時,宜采用下限值。

9.3.9電鍍、沉銅、棕化、表面處理、蝕刻、清洗、烤板等工序宜設置崗位送風系統(tǒng)。

9.3.12干冷卻盤管的設置應符合下列要求:

1 迎面風速不宜超過2.5m/s。

2 空氣側(cè)阻力不應大于40Pa。

3 布置在同一潔凈室(區(qū))內(nèi)的干冷卻盤管,在工作條件下空氣側(cè)阻力相差不應大于10%。

4 冷凍水的供水溫度應高于潔凈室(區(qū))內(nèi)的露點溫度。

5 應設置排水系統(tǒng)。

9.3.13凈化空調(diào)系統(tǒng)的新風吸入管應設置防倒灌裝置。

九:薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD)無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB 50472-2008 《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB 51136-2015 《薄膜晶體管液晶顯示器工廠設計規(guī)范》

薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-LCD

3.0.2 TFT-LCD 工廠設計應滿足生產(chǎn)所需要超大空間潔凈環(huán)境的要求。

6.1.2 TFT-LCD 工廠一般由陣列、成盒、彩膜、模組等生產(chǎn)廠房、動力廠房、化學品庫、化學品配送車間、辦公樓等建筑組成。生產(chǎn)廠房、辦公樓、動力廠房之間的人流宜采用連廊進行聯(lián)系。

9 采暖、通風、空氣凈化

9.2.3 潔凈室內(nèi)產(chǎn)生粉塵和有害氣體的工藝設備和輔助設備,均應設局部排風裝置,排風罩宜為密閉式。

9.2.4 排風系統(tǒng)的設計,應符合下列要求:

1 PECVD 和干法刻蝕設備的尾氣應設就地處理裝置;

2 酸、堿、有毒和有機廢氣應分開設置排風系統(tǒng),并應設置備用風機和應急電源;

3 陣列、彩膜、成盒廠房一般排風系統(tǒng)應設置備用風機;

4 有冷凝液產(chǎn)生的工藝設備局部排風管宜設置坡度和排液口,且風管系統(tǒng)應采取防液體滲漏措施;

5 有毒排風系統(tǒng)的風管應采用內(nèi)涂聚四氟乙烯的不銹鋼板制作;

6 有毒和有機排風及應采取防火、防爆措施;

7 酸、堿、有毒和有機排風系統(tǒng)不宜設置防火閥,且不得設置熔片式防火閥;

8 酸、堿、有毒排風系統(tǒng)的風機應設在廢氣處理設備的下風側(cè),有機排風系統(tǒng)如采用吸附方式處理廢氣,風機宜設在廢氣處理設備的上風側(cè);

9 有毒排風系統(tǒng)的風管應在適當位置設置透明觀察口,其管內(nèi)風速不應小于10m/s;

10 工藝設備局部排風系統(tǒng)的室外風管應根據(jù)當?shù)貧庀髼l件設置防結(jié)露保溫措施;

11 布置在陣列、彩膜、成盒廠房核心生產(chǎn)區(qū)內(nèi)的排風管道,其管內(nèi)風速不應大于12m/s;

12 潔凈室的排風系統(tǒng)應設置防止室外氣流倒灌的措施。

9.3 空氣調(diào)節(jié)與凈化

9.3.1 凈化空氣調(diào)節(jié)系統(tǒng)的新風應集中進行熱、濕、凈化處理,新風處理機組的設置

應符合下列規(guī)定:

1 送風機應采取變頻措施;

2 空氣應經(jīng)過粗效、中效、高效過濾器三級處理;

3 陣列、彩膜、成盒廠房應設置備用新風處理機組;

4 陣列、彩膜、成盒廠房的電機與風機應采用直聯(lián)驅(qū)動方式,且有良好的減振措施;

5 新風的吸入口位置,應遠離排放有害物或可燃物的排氣口;

6 加濕方式宜采用溫水淋水室;

7 應有良好的氣密性,在工作壓力下的漏風率不得大于 1%。

9.3.2 陣列、彩膜、成盒廠房的潔凈室宜采用“新風處理機組+風機過濾器機組+干冷卻

盤管”的凈化空調(diào)系統(tǒng);模塊和背光源廠房的潔凈室宜采用集中式凈化空調(diào)系統(tǒng)。

9.3.3 陣列、彩膜、成盒廠房的潔凈室寬度超過80m時,宜在寬度方向布置不同阻力的

回風高架地板。

9.3.5 風機過濾器機組的設置應符合下列規(guī)定:

1 應根據(jù)空氣潔凈度等級和送風量選用;

2 宜采用直流調(diào)速電機;

3 機組應采取消音措施,消音裝置不得采用產(chǎn)塵材料;

4 潔凈度等級為 7~9級的潔凈室(區(qū))不宜采用聚四氟乙烯濾料的過濾器;

5 應便于安裝、維修及過濾器更換。

9.3.7 空調(diào)冷、熱源和水系統(tǒng)的設置應符合下列規(guī)定:

1 空調(diào)冷媒應采用低溫和中溫冷凍水系統(tǒng);除新風處理機組的二級冷卻盤管使用

低溫冷凍水外,其余冷卻盤管宜使用中溫冷凍水;

2 干冷卻盤管的中溫冷凍水系統(tǒng)宜采用同程式,供水干管的末端應與回水干管間

設置旁通管;

3 布置在吊頂內(nèi)的干冷卻盤管的中溫冷凍水系統(tǒng)管道和布置在下技術夾層及回

風夾道內(nèi)的干冷卻盤管的中溫冷凍水系統(tǒng)供水干管應保溫;

 

 

 

十:光纖器件無塵車間

產(chǎn)品介紹

GB50472—2008《電子工業(yè)潔凈廠房設計規(guī)范》

GB51123-2015 《光纖器件生產(chǎn)廠工藝設計規(guī)范》

光纖器件無塵車間

4  生產(chǎn)環(huán)境要求和條件保障

 

4.1  生產(chǎn)環(huán)境要求

4.1.1 研磨拋光車間、熔融拉錐車間和平面波導法生產(chǎn)工藝車間溫度宜保持在10℃~30℃之間,相對濕度宜保持在40%~75%。

4.1.2 研磨拋光車間、熔融拉錐車間、平面波導法生產(chǎn)工藝車間和組裝封裝車間應防微振,防微振等級應不低于三級。

4.1.3 研磨拋光車間、平面波導法生產(chǎn)工藝車間應為30萬級及以上的廠房,熔融拉錐法生產(chǎn)工藝車間和光刻車間應為100萬級以上的潔凈廠房。

4.1.4 光柵制作場所應禁火禁油,保持通風。

4.1.5 調(diào)配膠場所應通風并防塵。

4.1.6 光路調(diào)試臺環(huán)境噪聲等級應不大于50dB。

4.1.7 組裝封裝車間應防塵。

4.2.4 研磨拋光工序、熔融拉錐工序和光刻工序應在潔凈室,光纖耦合器和隔離器的組裝封裝宜在潔凈區(qū)或潔凈室。

4.2.5 潔凈廠房內(nèi)應設置人員凈化和物料凈化區(qū)。人員凈化用室應包括雨具存放、換鞋管理存放和外衣更潔凈工作服等房間。

7.4  采暖、通風、空氣凈化

7.4.1 光纖器件生產(chǎn)廠房潔凈區(qū)空氣潔凈度等級宜為8級,換氣次數(shù)宜為12至15次。

7.4.2 空調(diào)凈化系統(tǒng)宜采用上送側(cè)回或上送上回的送回風方式。

7.4.3 廠房室內(nèi)溫度宜為22℃±3,相對濕度宜為40%~60%。

7.4.5 生產(chǎn)中產(chǎn)生粉塵和有害氣體的工藝設備,應設局部排風裝置,

7.4.6 對排風介質(zhì)中有害物應進行處理。

7.4.7 氫氣使用房間應設置事故排風,排風應采取防爆措施。

 


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