德國歐司朗光電半導(dǎo)體（OSRAM Opto Semiconductors GmbH）開發(fā)出了新型LED結(jié)構(gòu)「UX:3」。該結(jié)構(gòu)不僅能夠大幅提高藍(lán)光LED等GaN類LED的外部量子效率，而且還可大幅抑制LED在通過大電流時發(fā)光效率下降的公認(rèn)課題。通過減少不伴隨發(fā)光的非放射再結(jié)合——「俄歇復(fù)合」，可抑制發(fā)光效率的下降。

    歐司朗介紹，UX:3在LED芯片內(nèi)部嵌入n型接觸電極，通過貫通孔與n型GaN類半導(dǎo)體層進(jìn)行電連接?？山档碗娏髅芏鹊男Ч?，從而減少了俄歇復(fù)合。并還加厚了作為發(fā)光部分的活性層，降低了載流子密度。

    采用UX:3的藍(lán)光LED芯片，其光輸出功率在芯片為1mm見方的情況下投入350mA電流時比ThinGaN大約高10％。投入電流越多，UX:3和ThinGaN的差距就越大。使用這種藍(lán)光LED芯片的白光LED，其發(fā)光效率可達(dá)到136lm/W。

    UX:3將作為ThinGaN的進(jìn)化版，從投入大電流的高端藍(lán)光LED、白光LED及綠光LED開始采用。首先將推出手機(jī)攝像頭閃光燈使用的產(chǎn)品，并于2010年內(nèi)發(fā)佈面向普通照明用途的產(chǎn)品。

    目前打算在1mm見方的大尺寸芯片上采用UX:3，不過在技術(shù)成熟后，還有可能在標(biāo)準(zhǔn)尺寸的芯片上使用UX:3。