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一、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備概述

半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備主要應(yīng)用在半導(dǎo)體清洗行業(yè)，該設(shè)備采用先進(jìn)的反滲透技術(shù)和EDI以及拋光樹(shù)脂模組技術(shù)，保證設(shè)備的質(zhì)量和出水水質(zhì)。應(yīng)用杜笙MB-115拋光樹(shù)脂可以保證穩(wěn)定出水在17兆歐以上;應(yīng)用杜笙MB-106UP，可以保證穩(wěn)定出水在18.25兆歐以上。

二、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備工作原理

EDI裝置將離子交換樹(shù)脂充夾在陰/陽(yáng)離子交換膜之間形成EDI單元。EDI工作原理如下圖所示。EDI組件中將一定數(shù)量的EDI單元間用網(wǎng)狀物隔開(kāi)，形成濃水室。又在單元組兩端設(shè)置陰/陽(yáng)電極。在直流電的推動(dòng)下，通過(guò)淡水室水流中的陰陽(yáng)離子分別穿過(guò)陰陽(yáng)離子交換膜進(jìn)入到濃水室而在淡水室中去除。而通過(guò)濃水室的水將離子帶出系統(tǒng)，成為濃水. EDI設(shè)備一般以反滲透(RO)純水作為EDI給水。RO純水電導(dǎo)率一般是40-2μS/cm(25)。EDI純水電阻率可以高達(dá)18 MΩ.cm(25)，但是根據(jù)去離子水用途和系統(tǒng)配置設(shè)置，EDI純水適用于制備電阻率要求在1-18.2MΩ.cm(25)的純水。

三、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備制備工藝

1、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→粗混合床→精混合床→純水箱→純水泵→紫外線(xiàn)殺菌器→拋光混床→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。(≥18MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)

2、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純化水箱→純水泵→紫外線(xiàn)殺菌器→拋光混床→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。(≥18MΩ.CM)(最新工藝)

3、預(yù)處理→一級(jí)反滲透→加藥機(jī)(PH調(diào)節(jié))→中間水箱→第二級(jí)反滲透(正電荷反滲膜)→純水箱→純水泵→EDI裝置→紫外線(xiàn)殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。(≥17MΩ.CM)(最新工藝)

4、預(yù)處理→反滲透→中間水箱→水泵→EDI裝置→純水箱→純水泵→紫外線(xiàn)殺菌器→0.2或0.5μm精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。(≥15MΩ.CM)(最新工藝)

5、預(yù)處理系統(tǒng)→反滲透系統(tǒng)→中間水箱→純水泵→粗混合床→精混合床→紫外線(xiàn)殺菌器→精密過(guò)濾器→用水點(diǎn)。(≥15MΩ.CM)(傳統(tǒng)工藝)。

四、半導(dǎo)體清洗用超純水設(shè)備的應(yīng)用領(lǐng)域

電解電容器生產(chǎn)鋁箔及工作件的清洗。

電子管生產(chǎn)、顯像管和陰極射線(xiàn)管生產(chǎn)配料用純水。

黑白顯像管熒光屏生產(chǎn)、玻殼清洗、沉淀、濕潤(rùn)、洗膜、管頸清洗用純水。

生產(chǎn)液晶顯示器的屏面需用純水清洗和用純水配液。

晶體管生產(chǎn)中純水主要用于清洗硅片。

集成電路生產(chǎn)中高純水清洗硅片。

半導(dǎo)體材料、器件、印刷電路板和集成電路用純水。

半導(dǎo)體材料、晶元材料生產(chǎn)、加工、清洗。

高品質(zhì)顯像管、螢光粉生產(chǎn)。

汽車(chē)、家電表面拋光處理。

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