ZEM-5熱電性能分析系統(tǒng)
技術特點：
· 適用于研究開發(fā)各種熱電材料和薄膜材料，提高測量精度
· 溫度檢測采用C型熱電偶，最適合測量Si系列熱電材料(SiGe, MgSi等) *HT型
· 真正可測基板上的納米級薄膜（TF型）
· 最大可測10MΩ高電阻材料
· 標準搭載歐姆接觸自我診斷程序并輸出V/I圖表
· 基于日本工業(yè)標準JIS (熱電能JIS 電阻率JIS R 1650-2)
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ZEM-5HT
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ZEM-5HR
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ZEM-5LT
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ZEM-5TF
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特 點
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高溫型
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高電阻型
最大電阻：10MΩ
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低中溫型
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薄膜型
可測在基板上形成的熱電薄膜
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溫度范圍
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RT-1200℃
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RT-800℃
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-150℃-200℃
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RT-500℃
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樣品尺寸
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直徑或正方形：2 to 4 mm2 ；
長度3 ～ 15mm
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成膜基板：寬2-4mm，厚0.4-12mm，長20mm
薄膜厚度：≥nm量級
薄膜樣品與基板要求絕緣
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控溫精度
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±0.5K
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測量精度
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塞貝克系數(shù)：＜±７％； 電阻系數(shù)：＜±７％
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測量原理
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塞貝克系數(shù)：靜態(tài)直流電； 電阻系數(shù)：四端法
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測量范圍
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塞貝克系數(shù)：0.5μV/K_25V/K； 電阻系數(shù)：0.2Ohm-2.5KOhm/10MΩ
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分辨率
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塞貝克系數(shù)：10nV/K； 電阻系數(shù)：10nOhm
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氣 氛
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減壓Ｈｅ
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