此外，在安全領(lǐng)域，我們預(yù)計(jì)電子ID證件的增長(zhǎng)將繼續(xù)，比如電子護(hù)照，帶芯片的身份證件等。

    我們也認(rèn)為，越來越多的證件，如駕照以及社會(huì)保障卡等，都將內(nèi)置安全芯片。

    對(duì)中國(guó)系統(tǒng)制造商而言，2011年將面臨的最大技術(shù)挑戰(zhàn)是如何保證高復(fù)雜系統(tǒng)的可靠性和實(shí)現(xiàn)更高的能效。特別在汽車領(lǐng)域，安全和質(zhì)量是嚴(yán)酷的考驗(yàn)，尤其是在新的應(yīng)用領(lǐng)域，如何能在嚴(yán)酷的條件下保證在十年、十五年以上的可靠工作。比如汽車本身所帶來的大范圍溫度變化(從零下四十度到零上一百五十度)，由路面顛簸所帶來的強(qiáng)烈機(jī)械震動(dòng)，復(fù)雜混亂的電子干擾等等。在汽車動(dòng)力引擎方面，由于汽車系統(tǒng)復(fù)雜度越來越高，對(duì)于功率驅(qū)動(dòng)和主控芯片都提出更高要求。我們會(huì)堅(jiān)持質(zhì)量第一的信念，把最可靠的器件和系統(tǒng)帶到中國(guó)。

    工業(yè)領(lǐng)域的產(chǎn)品應(yīng)用也十分廣泛，從10伏以上到1000千伏以上，1安培以上到100安培以上，簡(jiǎn)單控制到復(fù)雜控制，如4瓦LED燈泡到6500千伏牽引系統(tǒng)。要為這么廣泛的應(yīng)用提供高能源效率解決方案，需要一個(gè)廣泛的產(chǎn)品組合，以為各項(xiàng)應(yīng)用提供性價(jià)比最佳的產(chǎn)品，同時(shí)必須掌握包括MCU、MOSFET、IGBT和模塊等多種技術(shù)。

    目前在汽車、工業(yè)和芯片卡市場(chǎng)，英飛凌是排名第一的龍頭企業(yè)。我們完善的產(chǎn)品線可以為能源效率、移動(dòng)性和安全性市場(chǎng)的快速發(fā)展提供極大的推動(dòng)作用。

    為了應(yīng)對(duì)上述汽車電子系統(tǒng)的挑戰(zhàn)，英飛凌開發(fā)了汽車級(jí)的IGBT模塊。這些汽車專用的IGBT模塊充分考慮了以上的技術(shù)挑戰(zhàn)，在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)時(shí)作出了充足的保護(hù)安排，在認(rèn)證和測(cè)試時(shí)也進(jìn)行了全面的考慮，比如，抗震動(dòng)能力，我們對(duì)汽車級(jí)模塊會(huì)以五倍重力加速度三十小時(shí)來做考驗(yàn)，而工業(yè)級(jí)器件一般僅做兩倍重力加速度兩小時(shí)的測(cè)試；還有溫度沖擊測(cè)試，即在零下四十度到零上一百五十度之間做快速的循環(huán)變化，汽車級(jí)我們會(huì)做一千次，而工業(yè)級(jí)僅做五十次，這個(gè)指標(biāo)反映器件未來的壽命。除器件之外，為更好地幫助大家的開發(fā)，我們?cè)趪?guó)內(nèi)也推出相關(guān)的參考設(shè)計(jì)，相信這些參考設(shè)計(jì)能幫助大家縮短開發(fā)周期。

    在功率電子領(lǐng)域，主要的驅(qū)動(dòng)力是提高能效和功率密度，比如降低導(dǎo)通電阻和開關(guān)損耗。在高壓市場(chǎng)版塊，我們?cè)谔蓟杓夹g(shù)方面的發(fā)展十分先進(jìn)，已經(jīng)進(jìn)行了多年的量產(chǎn)。英飛凌的JFET和MOSFET也處于產(chǎn)品開發(fā)階段，第一種類型將在接下來兩三年入市。而在低壓領(lǐng)域，我們正在開發(fā)GaN類型的產(chǎn)品，以降低開關(guān)成本。

    封裝技術(shù)也是我們實(shí)現(xiàn)差異化的一個(gè)重要方面。依靠.XT這種新的IGBT模塊連接技術(shù)，我們進(jìn)行了一系列創(chuàng)新。比如芯片前端和后端的壓焊連接加強(qiáng)，及在流程中利用擴(kuò)散錫焊的方法等。.XT技術(shù)將IGBT模塊的使用壽命提高10%，這對(duì)于如商用車以及風(fēng)能發(fā)電站等強(qiáng)大應(yīng)用來說尤其重要。